nxp, psmn2r4-30yld, mosfet-n-ch-30v-100a-power-so,

PSMN2R4-30YLD МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 0.002 Ом, 10 В, 1.7 В

fairchild-semiconductor, nds9945, transistor-mosfet,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS9945. Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А, 60 В, 100 мОм, 10 В, 1.7 В

infineon, irg7ph42ud1pbf, igbt-n-ch-diode-1200v-85a-to-247ac,

INFINEON IRG7PH42UD1PBF БТИЗ транзистор, 85 А, 1.7 В, 313 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

multicomp, her308, diode-fast-3a-1000v,

MULTICOMP HER308 Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 150 А

broadcom-limited, hlmp-4700, led-5mm-red-2-3mcd-626nm,

BROADCOM LIMITED HLMP-4700 Светодиод, Красный, Сквозное Отверстие, T-1 3/4 (5мм), 2 мА, 1.7 В, 626 нм

taiwan-semiconductor, es3h, rectifier-single-500v-3a-do-214ab,

TAIWAN SEMICONDUCTOR ES3H Быстрый / ультрабыстрый диод, 500 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 100 А Новинка

infineon, fp25r12ke3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-25a,

INFINEON FP25R12KE3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка

infineon, ipd50p04p4l11atma1, mosfet-p-ch-40v-50a-to-252-3,

INFINEON IPD50P04P4L11ATMA1 МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -40 В, 0.0082 Ом, -10 В, -1.7 В

stmicroelectronics, lps25h, pressure-sensor-26-126kpa-hclga,

STMICROELECTRONICS LPS25H Датчик Давления, Абсолютный, 26 кПа, 126 кПа, 1.7 В, 3.6 В

vishay, vs-hfa16ta60cpbf, diode-soft-16a-600v-to-220,

VISHAY VS-HFA16TA60CPBF Силовой диод быстрого действия, мягкий, 600 В, 8 А, Двойной Общий Катод, 1.7 В, 55 нс, 60 А