ON SEMICONDUCTOR MCH6444-TL-W МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 35 В, 0.075 Ом, 10 В, 2.6 В
Метка: 2.6 В
on-semiconductor, lc717a00ar-nh, capacitance-to-digital-converter,
ON SEMICONDUCTOR LC717A00AR-NH Емкостный сенсорный датчик, I2C, SPI, 2.6 В, 5.5 В, QFN, 28 вывод(-ов), -40 °C
fairchild-semiconductor, fdmc86244, mosfet-n-ch-150v-9-4a-mlp-3-3×3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86244 МОП-транзистор, N Канал, 9.4 А, 150 В, 0.105 Ом, 10 В, 2.6 В
optek-technology, ovsaablcr8, led-plcc-4-60deg-amb,
OPTEK TECHNOLOGY OVSAABLCR8 Светодиод, Янтарный, SMD (Поверхностный Монтаж), 2.6мм, 50 мА, 2.6 В, 591 нм
fuji-electric, 6mbi15s-120-50, 6-pack-igbt-module-15a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 6MBI15S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 15 А, 2.6 В, 110 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
on-semiconductor, mch6344-tl-w, mosfet-p-ch-30v-2a-sc-88-6,
ON SEMICONDUCTOR MCH6344-TL-W МОП-транзистор, P Канал, -2 А, -30 В, 0.115 Ом, -10 В, -2.6 В
on-semiconductor, sch1337-tl-w, mosfet-p-ch-30v-2a-sot-563-6,
ON SEMICONDUCTOR SCH1337-TL-W МОП-транзистор, P Канал, -2 А, -30 В, 0.115 Ом, -10 В, -2.6 В
fairchild-semiconductor, fdc3601n, mosfet-dual-n-smd-ssot-6,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC3601N Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В
vishay, sir890dp-t1-ge3, mosfet-n-so-8,
VISHAY SIR890DP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 20 В, 0.0023 Ом, 20 В, 2.6 В
fuji-electric, 6mbi10s-120-50, igbt-6-pack-mod-1200v-10a-m623,
FUJI ELECTRIC 6MBI10S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 6, N Канал, 10 А, 2.6 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module