IXYS SEMICONDUCTOR CS19-08HO1 Тиристор, 800 В, 28 мА, 19 А, 29 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Метка: 29 А
vishay, sihp30n60e-e3, mosfet-n-ch-600v-29a-to-220ab,
VISHAY SIHP30N60E-E3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В
wolfspeed, c2d20120d, diode-schot-1200v-2x10a-to-247,
WOLFSPEED C2D20120D Карбидокремниевый диод Шоттки, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 29 А, 122 нКл, TO-247
vishay, sihh28n60e-t1-ge3, mosfet-n-ch-600v-29a-powerpak,
VISHAY SIHH28N60E-T1-GE3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 5 В Новинка
vishay, sihh28n60e-t1-ge3, mosfet-n-ch-600v-29a-powerpak,
VISHAY SIHH28N60E-T1-GE3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 5 В Новинка
vishay, sihf30n60e-e3, mosfet-n-ch-600v-29a-to-220-fullpak,
VISHAY SIHF30N60E-E3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В
vishay, si4459ady-t1-ge3, mosfet-p-ch-diode-30v-29a-8-soic,
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -29 А, -30 В, 3.9 мОм, -10 В, -2.5 В
vishay, sihb30n60e-ge3, mosfet-n-ch-600v-29a-d2pak,
VISHAY SIHB30N60E-GE3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В
vishay, sihg30n60e-e3, mosfet-n-ch-600v-29a-to-247ac,
VISHAY SIHG30N60E-E3 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.104 Ом, 10 В, 2 В
vishay, si4459ady-t1-ge3, mosfet-p-ch-diode-30v-29a-8-soic,
VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -29 А, -30 В, 3.9 мОм, -10 В, -2.5 В