Метка: Силовые

diodes-inc, zxm61p02f, mosfet-p-sot-23,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

DIODES INC. ZXM61P02F МОП-транзистор, P Канал, 900 мА, -20 В, 600 мОм, 4.5 В, -700 мВ

infineon, irll3303trpbf, mosfet-n-ch-30v-4-6a-sot-223-3,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

INFINEON IRLL3303TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 4.6 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1 В

nexperia, bas16vy, diode-switching-sot-363,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

BAS16VY Диод слабых сигналов, Тройной Изолирующий, 100 В, 200 мА, 1.25 В, 4 нс, 4 А

nxp, pbss4160panps, trans-npn-pnp-aec-q101-60v-sot1118d,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

NEXPERIA PBSS4160PANPS Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 60 В, 510 мВт, 1 А, 70 hFE, SOT-1118

ixys-semiconductor, dsa50c100qb, diode-schottky-to-3p,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

IXYS SEMICONDUCTOR DSA50C100QB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 100 В, 25 А, 720 мВ, 230 А, 175 °C

vishay, ug1b-e3-54, diode-fast-recovery-1a,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

VISHAY UG1B-E3/54 Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 15 нс, 50 А

vishay, si7623dn-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-35a-ppak1212-8,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

VISHAY SI7623DN-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -35 А, -20 В, 0.0031 Ом, -10 В, -400 мВ

schrack-te-connectivity, rp420024, relay-dpdt-250vac-8a,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

SCHRACK — TE CONNECTIVITY RP420024 Универсальное реле, серия RPII/2, силовое, без защелки, DPDT, 24В DC, 8А

diodes-inc, zlls400, diode-schottky-low-leakage,

Минск, Обновлено: 01 ноября 2024г., 00:00

DIODES INC. ZLLS400 Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 40 В, 520 мА, 610 мВ, 12 А, 150 °C