INFINEON IRG7PH42UDPBF БТИЗ транзистор, 85 А, 1.7 В, 320 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
Метка: -1.2 кВ
infineon, idh10s120aksa1, diode-schottky-1200v-10a-to220,
INFINEON IDH10S120AKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Серия thinQ 2G 1200V, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 36 нКл, TO-220
wolfspeed, c4d08120e, diode-sic-rec-1200v-7-5a-to252,
WOLFSPEED C4D08120E Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 24.5 А, 37 нКл, TO-252
infineon, ff600r12me4b11bpsa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-600a,
INFINEON FF600R12ME4B11BPSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка
ixys-semiconductor, ixa37if1200hj, igbt-1200v-58a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ БТИЗ транзистор, 58 А, 2.1 В, 195 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
stmicroelectronics, stpsc20h12gy-tr, sic-schottky-diode-auto-1-2kv,
STMICROELECTRONICS STPSC20H12GY-TR Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 38 А, 129 нКл, TO-252 Новинка
stmicroelectronics, stth112u, diode-fast-1a-1200v-smd-smb,
STMICROELECTRONICS STTH112U Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.65 В, 75 нс, 18 А
on-semiconductor, ngtb30n120ihswg, igbt-1200v-30a-to-247-3,
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHSWG БТИЗ транзистор, 60 А, 2 В, 192 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
infineon, fs50r12w2t4-b11, igbt-l-power-1200v-50a-easypack,
INFINEON FS50R12W2T4_B11 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 335 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr25sa-120-50, igbt-7-pack-mod-1200v-25a-m711,
FUJI ELECTRIC 7MBR25SA-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 7, N Канал, 25 А, 2.1 В, 180 Вт, 1.2 кВ, Module