IXYS SEMICONDUCTOR IXFX32N100Q3 Силовой МОП-транзистор, класс Q3, N Канал, 32 А, 1 кВ, 0.32 Ом, 10 В, 6.5 В Новинка
Метка: ixys-semiconductor
ixys-semiconductor, ixtx60n50l2, mosfet-n-ch-500v-53a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTX60N50L2 МОП-транзистор, LINEAR L2™, N Канал, 60 А, 500 В, 100 мОм, 10 В, 2.5 В
ixys-semiconductor, ixfh30n50, mosfet-n-to-247,
полупроводники — дискректные
ixys-semiconductor, dhg40c600hb, diode-fast-600v-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DHG40C600HB Силовой диод быстрого действия, 600 В, 20 А, Двойной Общий Катод, 2.31 В, 35 нс, 150 А
ixys-semiconductor, dsei120-12a, diode-fast-109a-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEI120-12A Модуль диода, 1.2 кВ, 109 А, 1.55 В, Одиночный, DSEI1 Series
ixys-semiconductor, ixgr60n60c2d1, igbt-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2D1 БТИЗ транзистор, изолированный, 75 А, 2.7 В, 250 Вт, 600 В, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixgp30n120b3, igbt-1200v-30a-to-220,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N120B3 БТИЗ транзистор, 60 А, 3.5 В, 300 Вт, 1.2 кВ, TO-220, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixfr64n50p, mosfet-n-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFR64N50P МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 500 В, 95 мОм, 10 В, 5.5 В
ixys-semiconductor, dsa60c60pb, diode-schottky-to-220ab,
IXYS SEMICONDUCTOR DSA60C60PB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 60 В, 30 А, 680 мВ, 260 А, 175 °C
ixys-semiconductor, dsi30-08a, diode-standard-30a-800v-to220ab,
IXYS SEMICONDUCTOR DSI30-08A Стандартный силовой диод, лавинный, 800 В, 30 А, Одиночный, 1.25 В, 300 А