Метка: Силовые

infineon, irfr5410trpbf, mosfet-p-ch-100v-13a-to-252aa,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

INFINEON IRFR5410TRPBF МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -100 В, 0.205 Ом, -10 В, -4 В

infineon, auirfr4104, mosfet-n-ch-40v-42a-dpak,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

INFINEON AUIRFR4104 МОП-транзистор, N Канал, 42 А, 40 В, 4.3 мОм, 10 В, 2 В

nxp, nx3020nakt, mosfet-n-ch-30v-0-18a-sot416,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

NEXPERIA NX3020NAKT МОП-транзистор, N Канал, 180 мА, 30 В, 2.7 Ом, 10 В, 1.2 В

panasonic-electronic-components, db3x317k0l, diode-ultrafast-recovery-1a-30v,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS DB3X317K0L DIODE, ULTRAFAST RECOVERY, 1A, 30V, SOT-23, FULL REEL

on-semiconductor, nttfs4c06ntag, mosfet-n-ch-30v-67a-wdfn,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

ON SEMICONDUCTOR NTTFS4C06NTAG МОП-транзистор, N Канал, 67 А, 30 В, 0.0034 Ом, 10 В, 2.2 В Новинка

vishay, si4825ddy-t1-ge3, mosfet-p-ch-diode-30v-14-9a-8,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

VISHAY SI4825DDY-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -14.9 А, -30 В, 0.01 Ом, -10 В, -1.4 В

fuji-electric, 6mbi10s-120-50, igbt-6-pack-mod-1200v-10a-m623,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

FUJI ELECTRIC 6MBI10S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 6, N Канал, 10 А, 2.6 В, 75 Вт, 1.2 кВ, Module

vishay, vs-gb100da60up, igbt-module-600v-100a-sot-227,

Минск, Обновлено: 15 января 2025г., 00:00

VISHAY VS-GB100DA60UP БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 125 А, 2.4 В, 447 Вт, 600 В, SOT-227