WOLFSPEED C4D20120A Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 53.5 А, 99 нКл, TO-220
Метка: -1.2 кВ
fuji-electric, 1mbi2400u4d-120, igbt-module-single-2400a-1200v,
FUJI ELECTRIC 1MBI2400U4D-120 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 3.6 кА, 2.11 В, 14.7 кВт, 1.2 кВ, Module
rohm, sct3080kl, mosfet-n-ch-31a-1-2kv-to-247n,
ROHM SCT3080KL Силовой МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, 18 В, 5.6 В Новинка
stmicroelectronics, stpsc6h12b-tr1, diode-sic-6a-1200v-dpak-hv,
STMICROELECTRONICS STPSC6H12B-TR1 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 6 А, 29 нКл, TO-252
stmicroelectronics, stth112a, diode-fast-1a-1-2kv-do-214ac-2,
STMICROELECTRONICS STTH112A Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.9 В, 75 нс, 18 А
stmicroelectronics, stgd5nb120szt4, igbt-1-3v-10a-to-252-3,
STMICROELECTRONICS STGD5NB120SZT4 БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixgp30n120b3, igbt-1200v-30a-to-220,
IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N120B3 БТИЗ транзистор, 60 А, 3.5 В, 300 Вт, 1.2 кВ, TO-220, 3 вывод(-ов)
infineon, fs35r12w1t4, igbt-low-pow-1200v-35a-easypack,
INFINEON FS35R12W1T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 225 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 7mbr50vp-120-50, igbt-7-pk-v-ser-50a-1200v-m719,
FUJI ELECTRIC 7MBR50VP-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 2.15 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module
infineon, fp75r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка