FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 40 мОм, -4.5 В, -600 мВ
Метка: FDN306P
fairchild-semiconductor, fdn306p, mosfet-p-ch-12v-2-6a-3-ssot-rl,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P МОП-транзистор, P Канал, 2.6 А, -12 В, 0.03 Ом, -4.5 В, -600 мВ
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,FDN306P 
Категория: Транзисторы с каналом P SMD Технические характеристики,описание: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P Транзистор: МОП р-канальный; полевой; -1,8В; 2-16C1B
радиодетали, электронные компоненты
radiodetali_elektronnye_komponenty_minsk1 wire датчик температуры , 10 ppm , 100 240 vac , 100 kb , 100 kl , 100 nf , 100k триммер , 1020s , 102b , 102k , 103j capacitor , 1040s , 104j , 104j100 , 1050p ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
fairchild-semiconductor, fdn306p, mosfet-p-ch-12v-2-6a-supersot,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P. МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 0.03 Ом, -4.5 В, -600 мВ